龙华新区是深圳市极为重要的电子信息产业、先进制造业和服装产业集聚基地。辖区有各类工业企业7700多家，其中规模以上工业企业800多家，生产领域涉及电子信息、医药制造、汽车、机械铸造、服装、卷烟等。总投资120亿元的长安标致雪铁龙汽车项目、深超光电国内首条低温多晶硅5代生产线万平方米的深圳市服装产业基地等一批重大项目落户龙华。辖区内有观澜高新产业园、龙华清湖工业园、观澜大富工业园、大浪同富裕工业园等一批大型工业园区，有富士康、富士施乐、佳能、华润三九药业、致君制药、好日子卷烟等一大批知名企业，有英飞拓、稳健、力劲、新百丽、信隆等12家上市公司。2011年，辖区预计实现地区生产总值1420亿元，完成规模以上工业总产值5764亿元、固定资产投资额272亿元、进出口总额858.6亿美元、两税收入253 .8亿元。其中，通信设备、计算机及其他电子设备制造业是支柱产业，预计产值4600多亿元，占全部规模以上工业总产值的80%.龙华新区是深圳中北部商贸中心，第三产业较为发达。在最密集的龙华商业中心10平方公里范围内，聚集了天虹商场、华润万家、大润发商场、岁宝百货、国美电器、苏宁电器等“中国连锁百强”企业的20多家大型零售卖场，其中天虹、大润发龙华店均为区域旗舰店，形成了辐射深圳中北部的核心商圈。辖区有已建、在建四星级以上酒店10家，其中五星级酒店4家。有内外资银行16家，共设立一级支行22个、营业网点66个。此外，依托深圳北站、龙华汽车站等交通枢纽和辖区完善的交通路网，成长起和记黄埔物流、华南国际物流、华通源公路货运中心一批骨干物流企业，物流业务覆盖到全市。2011年，辖区预计实现社会消费品零售总额165亿元。辖区内有国家5A级景区观澜湖高尔夫球会、127陈设艺术产业园、观澜版画原创产业基地、永丰源国瓷、山水田园、红木家居文化博览园、深圳报业集团印刷中心、深圳广电集团龙华影视基地等一批文化创意项目。其中，“大浪杯新丝路国际大学生时尚节”将大浪“时尚硅谷”名片推向世界，127陈设艺术产业园、观澜版画原创产业基地、永丰源陶瓷产业园先后被国家文化部评为“文化产业示范基地”。2013年9月10日，龙华新区在锦绣文化科技城及宝能科技园举行了创新产业园首次揭牌仪式。龙华新区创新产业园的认定工作，是新区通过载体转型升级促进产业转型升级的重要举措，首批获得认定的两个创新产业园，将成为新区新型产业园区的样板，在基础设施建设、精细化服务、运营业模式创新等方面，为新区的产业园区建设和更新升级探索路径，树立样板。[2]羊台山森林公园海拔587米，有“深圳西部第一峰”之称，园内森林总覆盖面积则在98%以上，景色秀丽，“羊台叠翠”是深圳八景之一。龙华新区还有龙华公园、火车站中心公园、清湖城市公园等一批“城市氧吧”。先后获得“联合国绿色产业发展奖”、“全国绿化模范单位”、“全国环境优美乡镇”、“深圳市十佳低碳优秀范例”等殊荣。龙华新区公共配套设施也正在逐步完善中。辖区有各类中小学、幼儿园、成人学校149个，大型文化艺术中心2个，各类体育场馆100多个，拥有医院7家、社康服务中心等各类卫生机构223个，其中龙华人民医院年门诊量达360多万人，为全市门诊量最大的医院。[1]

　　2015年是国内手机市场竞争最为激烈的一年，也是大浪淘沙的一年，有一些品牌在竞争中被淘汰，也有的品牌在竞争中快速成长，其中魅族手机就是去年进步最快的品牌之一，魅族手机去年的销量达到了2000万台，同比前一年增长了350%，这其中魅蓝品牌到目前为止累计销量就已经超过了2000万，也为魅族手机的快速增长立下了汗马功劳。可以说，魅蓝品牌的销量情况不仅关乎到魅族手机的销量，还会影响其品牌以及未来发展。 魅族 魅蓝Note3标准版参考价：读取中...图片 点评 报价参数概览 今天魅族正式对外发布了最新的手机产品——魅蓝note3，这也是魅族手机今年首款的产品，魅蓝note3在设计还是功能相比之前的产品有延续也有改变的地方，与其说魅蓝note3是一款全新的产品，倒不如说魅蓝note3是一款改进的产品，一款更加趋于完美的千元手机产品。 魅蓝note3 配置参数CPU联发科Helio P10 八核64位GPUMali-T860mp2RAM2GB/3GB LPDDR3ROM16/32GB eMMC 5.1屏幕5.5英寸 1080p屏幕 LTPS工艺 NEG T2X-1玻璃摄像头1300万像素后置摄像头、500万像素前置摄像头 后:PDAF相位对焦(0.2s)、f/2.2光圈，前:f/2.0、智能美颜系统Android 5.1 with Flyme 5.1尺寸重量153.6x75.5x8.2mm 163g电池容量4100mAh，不可自由更换网络制式2G/3G/4G LTE 全网通特色功能mBack整合Home键、mTouch 2.0指纹识别、VoLTE上市价格2GB+16GB:799元 3GB+32GB:999元 配置简述:魅蓝note3拥有一块5.5英寸1080p分辨率的屏幕，采用LTPS低温多晶硅技术，亮度更高面板更薄，表面覆盖了耐磨的NEG T2X-1玻璃。处理器方面，搭载了联发科Helio P10八核Soc，最高主频为1.8GHz，GPU为Mali T860mp2。2GB+16GB(高配:3GB+32GB)组合，后置1300万像素摄像头，支持PDAF相位对焦，前置500万像素摄像头。电池容量为4100mAh，支持双卡双待全网通。指纹识别等等。 外观设计:延续魅族风格 今年无论是苹果iPhone SE还是三星S7的外观均很大的程度上沿用或者延续了之前产品的设计，有人说这种做法缺乏创新，无法拉开不同产品之间的区别，但也有人表示这种用法很多地把好的品牌设计风格延续，提升消费者对品牌和产品的辨识度。相信大家对这种做法也有自己的评判，此处不做太多的。 魅族手机无论是外观还是系统的设计一直以来都有自己的理念，简单地就是与众不同。从MX3开始，魅族就在手机外观设计方面树立了自己的审美观，特别是背部的线条。尽管后来的PRO、MX、魅蓝品牌系列在背部材质上有所区别，但是机身背部的线条依然一致。 背部延续了魅族以往的金属设计 过去，由于成本和品牌定位的关系，PRO和MX品牌会采用金属材质的机身后盖，而魅蓝则为塑料，但从去年底的魅蓝metal开始，金属后盖被引进了魅蓝品牌，尽管魅蓝metal背部的金属被一层深深的塑料涂层覆盖。 后盖的处理与PRO5相似 而这次的魅蓝note3则直接采用了与PRO5和MX5类似的一体金属后盖，铝合金材质(6061航空铝合金材质)带来更好的机身强度，同时喷砂工艺处理的后盖也带来更好的质感和手感。 魅蓝note3金属后盖同时有MX5和PRO5上标志性的高光T槽，采用了高达10万转的CNC机床加工而成，在精度和手感上更加接近去年的PRO5，没有了MX5上“硌手”的感觉。从背部来看，魅蓝note3基本就是一台缩小的PRO5，主要的区别note3没有激光对焦的模块，只有双色温补光灯，同时摄像头也没有凸出，甚至还稍微有一点凹进去。note3的机身厚度稍厚于PRO5，与魅蓝metal相同(均为8.2mm)。 左为mote3、右为PRO5 PRO5和note3 在MX4 Pro上，魅族引进了正面的指纹识别功能，也是国产厂商里首家这样做的，自此以后，正面物理Home键也是成为了魅族手机的标志性设计之一，而目前也有不少厂商采取与魅族相类似的设计，这也是对魅族的一种认同。这次note3依然支持指纹识别功能，而mTouch 2.1也带来了0.2秒的高速解锁。 mTouch2.1 魅蓝品牌定位青年良品，因此在设计也更加迎合年轻消费者的喜好，如这次魅蓝note3把前置摄像头、听筒和光线/距离传感器设计得十分可爱(萌萌哒)，解决了以往这三个模块影响机身正面美观度的问题。 前置摄像头与传感器的设计 魅蓝note3背部依然是三段式设计，中间的是航空铝合金材质，外加喷砂工艺，上下两块为了兼顾各种无线信号，因此采用了与MX5相同的纳米注塑工艺，使到背部更加的一体化。 高光T槽 魅蓝note3延续以往与或卡托的设计，除了一个默认为Nano SIM卡托外，另外一个卡位可让用户自由选择是Nano SIM卡或者Micro SD卡。 与或卡槽 音量键、电源/锁屏键 魅蓝note3外观上最大的特点就是延续，把过去PRO和MX系列的设计下放到魅蓝品牌上。 相机:升级的1300万像素后置镜头 魅蓝note3前置500万像素的摄像头，配备了F2.0的大光圈，拥有4P镜组，拍摄视角为69度，加入了Foto-Nation 2.0美颜算法，自拍更自然亮丽。拍摄软件的功能比较丰富，多种趣味模式可以选择，而对相机比较了解的用户可以选择手动模式。 拍摄界面 后置摄像头 后置摄像头为1300万像素，支持PDAF相位对焦功能(最快对焦速度为0.2s)，拥有F2.2的大光圈，采用5P式镜组，并设有蓝玻璃滤镜，值得一提的是镜头表面配备了康宁公司的大猩猩防刮玻璃，保障镜头的耐用性。摄像头旁边设有双色温LED补光灯，开启拍摄的时候更自然。 镜头的光学素质不错，即使在逆光环境拍摄的时候，画面依然保持较高的对比度，叶子的脉络清晰可见。相机的最近对焦距离也是比较短，且得益于相位对焦功能的加入，对焦过程非常流畅，而在光线较差的环境下要慢一些。 在样张风格上面，魅蓝note3的表现同样是拥有较高的饱和度，特别是在绿色表现当中比较突出，好处就是比较讨好人眼，而缺点就是没那么自然真实。 锁屏界面;主界面;后台多任务界面 mTouch、mBack的整合式人机交互 mTouch整合了指纹识别模块、Home键以及返回功能，这种功能整合式的人机交互设计在如今越来越受到欢迎。轻触mTouch键实现返回，按下mTouch键实现Home键功能，而长按则激活语音助手。 mTouch不仅可以用于屏幕指纹解锁，还可以给应用、文档进行加密。同时，Flyme 5.1已经打通了国内第三方支付:支付宝 的指纹支付功能，在进行设置后即可享受想剁手就剁手的快感。 指纹识别系统设置;支付宝指纹支付、支付成功 魅蓝note3的mTouch升级到2.1版本，基于汇顶科技最新的GF516M指纹芯片，支持360°识别算法，准确率有一定的提高，而速度方面，据悉可以达到0.2s急速解锁。识别模块上方覆盖高硬度的复合材料，具备一定的耐磨性。 整体来说，Flyme 5.1加上魅族note3 Helio P10+2GB RAM的性能组合，在笔者的实际试用中没有感觉到明显卡顿。 续航测试:不仅要薄 还要持久! 续航方面，魅蓝note3此次打出的是“快的漂亮、薄的持久”口号，而快指的是搭载的能耗比更出色的八核Helio P10处理器，持久指的是在8.2mm的机身厚度条件下，内置4100mAh电池容量，比上一代魅蓝note2的8.7mm机身更薄，但续航更持久。 测试软件:安兔兔硬件检测(版本:v2.5.1) 手机状态:测试前一键清理后台程序、静音、插电话卡、除WiFi外其他模块关闭、屏幕亮度自动、屏幕旋转锁定、性能模式/省电模式默认。 省电模式;测试结果 最后测试结果显示，魅蓝note3的续航得分为12841，成绩可以说是相当优秀，续航性能比市面上在售的不少机器都要强，而这最主要的原因莫过于内置的4100mAh电池。而软件的优化同样会影响到续航，Flyme 5.1内置的手机管家拥有省电模式选项，里面包含包括:1.低功耗模式，2.极限省电模式以及3.自定义模式选择。当然，用户也可以查看手机上软件的实时耗电状况，对软件进行运行上的深化设置。 魅蓝note3评测总结 作为魅蓝note2的更新迭代产品，魅蓝note3身上却少了很多原本属于魅蓝的元素，取而代之的是更接近于魅族MX系列与PRO系列的设计，例如多彩的聚碳酸酯后壳换成了6061铝合金+纳米注塑后壳，整体无论在观感还是手感上都有明显改善。配置方面，定位青年良品的魅蓝note3却丝毫不含糊，更省电的八核Helio P10，容量更大的4100mAh电池，为这台“青年良品”打下良好体验的基础。 魅蓝note3评分(满分5星)外观设计及做工★★★★☆系统UI功能★★★★☆系统流畅度/优化★★★☆☆拍照★★★☆☆硬件性能★★★☆☆续航性能★★★★☆加分项mTouch指纹识别 双卡双待全网通 至于魅蓝note3能不能成为同价位“最优秀”的智能手机，相信市场会给出最线：

　　性质：灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。

　　多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。

　　一、国际多晶硅产业概况当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，其市场占有率在90％以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个国家7个公司的10家工厂手中，形成技术封锁、市场垄断的状况。多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。按纯度要求不同，分为电子级和太阳能级。其中，用于电子级多晶硅占55％左右，太阳能级多晶硅占45％，随着光伏产业的迅猛发展，太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展，预计到2008年太阳能多晶硅的需求量将超过电子级多晶硅。1994年全世界太阳能电池的总产量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年里就增长了17倍。专家预测太阳能光伏产业在二十一世纪前半期将超过核电成为最重要的基础能源之一。据悉，美国能源部计划到2010年累计安装容量4600MW，日本计划2010年达到5000MW，欧盟计划达到6900MW，预计2010年世界累计安装量至少18000MW。从上述的推测分析，至2010年太阳能电池用多晶硅至少在30000吨以上，表2给出了世界太阳能多晶硅工序的预测。据国外资料分析报道，世界多晶硅的产量2005年为28750吨，其中半导体级为20250吨，太阳能级为8500吨，半导体级需求量约为19000吨，略有过剩；太阳能级的需求量为15000吨，供不应求，从2006年开始太阳能级和半导体级多晶硅需求的均有缺口，其中太阳能级产能缺口更大。据日本稀有金属杂质2005年11月24日报道，世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张，主要是由于以欧洲为中心的太阳能市场迅速扩大，预计2006年，2007年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈，多晶硅价格方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除，2005年世界太阳能电池产量约1GW，如果以1MW用多晶硅12吨计算，共需多晶硅是1.2万吨，2005－2010年世界太阳能电池平均年增长率在25％，到2010年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过6.3万吨。世界多晶硅主要生产企业有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美国的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德国的Wacker公司等，其年产能绝大部分在1000吨以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三个公司生产规模最大，年生产能力均在3000－5000吨。国际多晶硅主要技术特征有以下两点：（1）多种生产工艺路线并存，产业化技术封锁、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80％，短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。（2）新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的低价格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。二、国内多晶硅产业概况我国集成电路的增长，硅片生产和太阳能电池产业的发展，大大带动多晶硅材料的增长。太阳能电池用多晶硅按每生产1MW多晶硅太阳能电池需要11－12吨多晶硅计算，我国2004年多晶、单晶太阳能电池产量为48.45MW，多晶硅用量为678吨左右，而实际产能已达70MW左右，多晶硅缺口达250吨以上。到2005年底国内太阳能电池产能达到300MW，实际能形成的产量约为110MW，需要多晶硅1400吨左右，预测到2010年太阳能电池产量达300MW，需要多晶硅保守估计约4200吨，因此太阳能电池的生产将大大带动多晶硅需求的增加，见表3。2005年中国太阳能电池用单晶硅企业开工率在20％－30％，半导体用单晶硅企业开工率在80％－90％，都不能满负荷生产，主要原因是多晶硅供给量不足所造成的。预计多晶硅生产企业扩产后的产量，仍然满足不了快速增长的需要。2005年全球太阳能电池用多晶硅供应量约为10448吨，而2005年太阳能用硅材料需求量约为22881吨，如果太阳能电池用多晶硅需求量按占总需求量的65%计，则太阳能电池用多晶硅需求量约为14873吨，这样全球太阳能电池用多晶硅的市场缺口达4424吨。2005年半导体用多晶硅短缺6000吨，加上太阳能用多晶硅缺口4424吨，合计10424吨，供给严重不足，导致全球多晶硅价格上涨。目前多晶硅市场的持续升温，导致各生产厂商纷纷列出了扩产计划，根据来自国际光伏组织的统计，至2008年全球多晶硅的产能将达49550吨，至2010年将达58800吨。预计到2010年全球多晶硅需求量将达85000吨，缺口26200吨。从长远来看，考虑到未来石化能源的短缺和各国对太阳能产业的大力支持，需求将持续增长。根据欧洲光伏工业联合会的2010年各国光伏产业发展计划预计，届时全球光伏产量将达到15GW（1GW=1000MW），设想其中60%使用多晶硅为原材料，如果技术进步每MW消耗10吨多晶硅，保守估计全球至少需要太阳能多晶硅5万吨以上。我国多晶硅工业起步于五、六十年代中期，生产厂多达20余家，生由于生产技术难度大，生产规模小，工艺技术落后，环境污染严重，耗能大，成本高，绝大部分企业亏损而相继停产和转产，到1996年仅剩下四家，即峨眉半导体材料厂（所），洛阳单晶硅厂、天原化工厂和棱光实业公司，合计当年产量为102.2吨，产能与生产技术都与国外有较大的差距。1995年后，棱光实业公司和重庆天原化工厂相继停产。现在国内主要多晶硅生产厂商有洛阳中硅高科技公司、四川峨眉半导体厂和四川新光硅业公司、到2005年底，洛阳中硅高科技公司300吨生产线吨多晶硅生产线也同时破土动工，河南省计划将其扩建到3000吨规模，建成国内最大的硅产业基地。四川峨眉半导体材料厂（所）是国内最早拥有多晶硅生产技术的企业，2005年太阳能电池用户投资，扩产的220吨多晶硅生产线年上半年投产，四川新光硅业公司实施的1000吨多晶硅生产线年底投产，此外，云南、扬州、上海、黑河、锦州、青海、内蒙、宜昌、广西、重庆、辽宁、邯郸、保定、浙江等地也有建生产线设想。三、行业发展的主要问题同国际先进水平相比，国内多晶硅生产企业在产业化方面的差距主要表现在以下几个方面：1、产能低，供需矛盾突出。2005年中国太阳能用单晶硅企业开工率在20％－30％，半导体用单晶硅企业开工率在80％－90％，无法实现满负荷生产，多晶硅技术和市场仍牢牢掌握在美、日、德国的少数几个生产厂商中，严重制约我国产业发展。2、生产规模小、现在公认的最小经济规模为1000吨/年，最佳经济规模在2500吨/年，而我国现阶段多晶硅生产企业离此规模仍有较大的距离。3、工艺设备落后，同类产品物料和电力消耗过大，三废问题多，与国际水平相比，国内多晶硅生产物耗能耗高出1倍以上，产品成本缺乏竞争力。4、千吨级工艺和设备技术的可靠性、先进性、成熟性以及各子系统的相互匹配性都有待生产运行验证，并需要进一步完善和改进。5、国内多晶硅生产企业技术创新能力不强，基础研究资金投入太少，尤其是非标设备的研发制造能力差。6、地方和企业项目投资多晶硅项目，存在低水平重复建设的隐忧。四、行业发展的对策与建议1、发展壮大我国多晶硅产业的市场条件已经基本具备、时机已经成熟，国家相关部门加大对多晶硅产业技术研发，科技创新、工艺完善、项目建设的支持力度，抓住有利时机发展壮大我国的多晶硅产业。2、支持最具条件的改良西门子法共性技术的实施，加快突破千吨级多晶硅产业化关键技术，形成从材料生产工艺、装备、自动控制、回收循环利用的多晶硅产业化生产线，材料性能接近国际同类产品指标；建成节能、低耗、环保、循环、经济的多晶硅材料生产体系，提高我们多晶硅在国际上的竞争力。3、依托高校以及研究院所，加强新一代低成本工艺技术基础性及前瞻性研究，建立低成本太阳能及多晶硅研究开发的知识及技术创新体系，获得具有自主知识产权的生产工艺和技术。4、主管部门加强宏观调控与行业管理，避免低水平项目的重复投资建设，保证产业的有序、可持续发展。我国从事半导体硅材料生产企业概况:我国从事半导体硅材料生产的企业总共40余家.截止06年销售额超过一亿元的企业已达17家.1,河北宁晋单晶硅基地2,有研半导体材料股份公司3,洛阳单晶硅有限责任公司/洛阳中硅高科技有限公司4,无锡华润华晶微电子有限公司5,宁波立立电子股份有限公司6,上海合晶硅材料有限公司7,上海申和热磁公司8,娥眉半导体材料厂9,杭州海纳半导体有限公司10,万向硅峰电子股份有限公司11,锦州新日硅材料(华昌电子材料/华日硅)公司12,天津环欧半导体技术有限公司13,常州亿晶电子科技有限公司14,常州天合光能有限公司15,江苏顺大半导体发展有限公司16,新能源股份有限公司17,南京国盛电子有限公司这些企业中供应半导体硅抛光片的有宁波立立电子股份有限公司、有研半导体材料股份公司、无锡华润华晶微电子有限公司、上海合晶硅材料有限公司、上海申和热磁公司等-----changaiyin单多晶硅国内含税价格单晶硅棒2600元/公斤,多晶硅棒2400元/公斤-----changaiyin----------------------------------------------------------------江西赛维LDK太阳能高科技有限公司是目前亚洲规模最大的太阳能多晶硅片生产企业。工厂坐落于江西省新余市经济开发区，专注于太阳能多晶硅铸锭及多晶硅片研发、生产、销售为一体的高新技术光伏企业，拥有国际最先进的生产技术和设备。公司注册资金11095万美元，总投资近3亿美元。2006年4月份投产， 7月份产能达到100兆瓦，8月份入选“RED HERRING亚洲百强企业”，10月份产能达到200兆瓦，被国际专业人士称为“LDK速度奇迹”。荣获“2006年中国新材料产业最具成长性企业”称号。 目前公司正致力于发展成为一个“世界级光伏企业”。2007年6月1日，赛维LDK成功在美国纽约证交所上市，成为中国企业历史上在美国单一发行最大的一次IPO；赛维LDK是江西省企业有史以来第一次在美国上市的企业，是中国新能源领域最大的一次IPO。该公司1.5万吨硅料项目近日已在江西省新余市正式启动，该项目总固定资产投资120亿元以上，预计将成为目前全球太阳能领域单个投资额最多、产能设计规模最大的项目之一。据悉，该项目计划首期在2008年底前建成投产，形成6000吨太阳能级硅料的年生产能力；2009年项目全部建成投产后，将形成1.5万吨产能，从而使该公司成为世界主要的太阳能多晶硅原料生产企业。当地有关人士表示，该项目的实施，不仅可以有效缓解国内光伏行业发展中遭遇的原料短缺等瓶颈制约，而且可以有力提升我国光伏产业的综合竞争力。4：

　　感光器件尺寸 1/2.5英寸最大像素数（万个） 620有效像素数（万个） 600最高分辨率（像素） 2816×2112图像分辨率（像素） 2816×2112/2816×1584/2272×1704/1600×1200/640×480光学变焦倍数 3数字变焦倍数 4显示屏尺寸（英寸） 2.5显示屏类型 2.5英寸低温多晶硅彩色液晶显示屏，约17.3万像素旋转液晶屏 不支持兼容操作系统 Win98/98SE/Me/2000/XP，Mac OS 8.6以上上市时间 2006年03月技术参数相当于35mm镜头尺寸 35mm-105mm广角镜头 不支持镜头性能 f=5.8-17.4mm对焦范围 30cm-无限远近拍距离 3-50cm(广角)，30-50cm(长焦)，微距3-10cm光圈范围 F2.8-F4.9快门类型 机械快门和电子快门快门速度 15-1/1500 秒等效感光度 自动 ISO 80/100/200/400/800曝光模式 程序自动曝光，AE锁曝光补偿 ±2.0 EV 每级1/3可调数据接口类型 USB 2.0拍摄功能闪光灯 自动、自动防红眼、强制闪光、强制不闪光、慢速同步闪光灯距离 0.5-3.5m(W)/0.5-2.0m(T)；微距：30-50cm(感光度设置为自动)外接闪光灯 支持白平衡调节 自动，预设（日光、多云、钨丝灯、荧光灯、荧光灯H），自定义防抖功能 不支持连拍功能 约2.1张/秒自拍功能 支持 10秒或2秒延时遥控功能 不支持对焦方式 TTL自动对焦视频输出 支持短片拍摄功能 标准/我的色彩：640×480/320×240(30 fps/15 fps)（使用高速SD卡，至SD卡满）；高速：320×240(60fps，最长1分钟) ；精简：160×120 (15fps，最长3分钟)录音功能 支持菜单语言 英文、德文、法文、荷兰文、丹麦文、芬兰文、意大利文、挪威文、瑞典文、西班牙文、简体中文、繁体中文、日文、俄文、葡萄牙文、韩文、希腊文、波兰文、捷克文、匈牙利文、土耳其文场景模式 数码微距、人像、潜水、室内、儿童和宠物、夜景拍摄测光方式 评价测光、中央重点平均测光、点测光(中央点)存储参数存储介质 SD卡、MMC卡随机存储卡容量（MB） 16M图像格式 静态：Exif 2.2(JPEG)，短片：AVI(图像数据：Motion JPEG附件及电源电池类型 锂离子充电电池NB-4L电源使用时间 约拍摄160幅图像外接电源 ACK-DC10适配器（选配）三脚架螺孔 标准螺孔附带软件 驱动程序、图象编辑软件附件 USB数据线、AV视频线、使用手册、保修卡、电池、充电器、腕带、存储卡、CD-ROM光盘外观参数颜色 银色重量(g) 140长度(mm) 86宽度(mm) 53.5高度(mm) 21.7环境参数工作温度（℃） 0-40℃工作湿度 10-90%存储温度（℃） -20-60℃存储湿度 5-95%我是刚出不久就买了，照相效果感觉还可以吧！缺点就是连续拍照时间过长会导致电池发热，不过佳能这系列机子大多这样吧！别的还线%的天威英利主要生产硅太阳能电池，目前硅片年产能70兆瓦、电池60兆瓦、组件100兆瓦，参股35.66%的新光硅业的在建项目投产后可年产多晶硅1260吨。此外，天威保变出资组建乐山乐电天威硅业科技有限责任公司新建3000吨/年多晶硅项目；与川投集团、岷江水电在成都市新津新建3000吨/年多晶硅项目。 通威股份（600438） 公司2008年2月公司以1.91亿元收购永祥公司50%股份，永祥公司全资子公司―――永祥多晶硅公司年产1000吨多晶硅项目计划2008年6月投产，一期1000吨多晶硅项目投产后计划建设二期3个3000吨多晶硅项目。 川投能源（600674） 2008年1月收购新光硅业38.9%股权。新光硅业承建的1260吨/年多晶硅项目是目前中国最大的多晶硅生产项目，项目概算总投资约12.9亿元，从2007年2月底投料试车成功到07年9月底，该公司共生产出多晶硅约69吨，计划2007年全年累计生产200吨。 乐山电力（600644） 出资2.55亿元（占51%）与天威保变组建乐电天威硅业公司建设、经营乐山3000吨/年多晶硅项目。项目预计总投资约22亿元，投资期预计为两年，第三年投产，第四年当年生产负荷达到设计能力的80%，第五年直至以后生产负荷为100%。 岷江水电（600131） 出资13230万参股天威四川硅业有限责任公司(占14%)投资新津3000吨/年多晶硅项目。新津3000吨/年多晶硅项目工程拟总投资26.75亿元。项目拟定总投资约27亿元，公司出资比例为14%。该项目建设期为2年，第5年达到设计生产能力。 南玻A（000012） 2006年6月总投资60亿元多晶硅材料及太阳能电池投资项目在签约，在湖北宜昌投资建设高纯多晶硅材料及太阳能电池产业两个项目，总规模年产5000吨高纯多晶硅、450兆瓦太阳能电池组件。 航天机电（600151） 公司控股子公司上海太阳能科技公司(占70%)是国内最大太阳能产品技术研发和生产销售公司，产量首次达到10兆瓦，相当于全国太阳能总产能50%以上。公司全资子公司神州新能源在内蒙古建设1500吨/年多晶硅生产装置，总投资约18亿元。 江苏阳光（600220） 公司投巨资共同设立宁夏阳光硅业公司生产多晶硅，公司占65%。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理等半导体器件的电子信息基础材料，被称为微电子大厦的基石，而最重要的是多晶硅是太阳能的核心原材料，目前我国多晶硅基本依赖进口，而由于技术垄断，公司发展前景非常看好。公司新设立的子公司未来规模年产多晶硅4000吨，项目已经开工，预计今年年底完工。公司首期规模年产多晶硅1000吨，以及配套新建2*15万千瓦自备电厂、氢气厂等，一旦建设完成，届时公司有望在多晶硅领域将成为国内乃至亚洲地区规模最大的企业，并成为太阳能上游资源的垄断龙头。 特变电工（600089） 特变电工在1月18日与峨嵋半导体研究所、特变（集团）有限公司特变集团、上海宏联创业投资有限公司签署了《特变电工多晶硅公司出资协议书》，上述四家公司将共同出资4亿元设立多晶硅公司。其中，特变电工以3亿元的出资额占有多晶硅公司注册资本的75%。多晶硅公司成立后，拟投资建设1500吨/年多晶硅项目，而根据可行性分析报告，该项目固定资产投资140681万元，除本次股东出资40000万元，其余资金通过银行贷款及其他方式解决。 拓日新能（002218） 公司是一家集研发、生产、销售非晶硅、单晶硅、多晶硅太阳能电池芯片、太阳能电池组件以及太阳能电池应用产品为一体高新技术企业，形成从电池芯片、电池组件到终端应用产品完整产业链，主要产品包括太阳能电池芯片、太阳能电池组件、太阳能灯具、太阳能充电器、太阳能户用电源系统等。 鄂尔多斯（600295） 公司硅铁产量今年可以达到53.5万吨，处于全球第一。2008~2009年硅铁产品将是公司主要利润增长源泉。通过定向增发计划进入多晶硅产业，将为公司发展增添后劲。公司利用生产工业硅和电能优势介入多晶硅，第一期年产3000吨，计划2009 年10月份投产。

　　兰花科创称，重庆兰花太阳能电力股份有限公司建设的1000吨单晶硅项目，分两期建设，一期为500吨。兰花太阳能的主要产品是单晶硅片。该项目目前仍处于建设阶段，单晶硅棒生产车间设备安装已完成60%，并试生产出一小部分单晶硅棒，还未进入批量生产。单晶硅棒属于单晶硅片的中间产品。单晶硅片生产车间设备还未安装到位。

　　公司完成了对子公司大成硅科技剩余25％股权的收购工作，大成硅科技有限公司主要从事晶体硅太阳能电池硅切片、硅棒的生产、销售。2008年7月1日，大成硅科技、江苏辉伦和公司在江苏省镇江市就太阳能单晶硅片购销签订《购销合同》。大成硅科技向江苏辉伦提供符合约定技术标注的125mm×125mm太阳能单晶硅片，合同金额45333万元，供货时间为2008年第三季度开始到2009年第四季度结束。3、中环股份(002129)：公司从事半导体分立器件和单晶硅材料研发、生产和销售，主要产品为高压硅堆、硅桥式整流器、快恢复整流二极管、单晶硅及硅切磨片等，其中分立器件产品主要应用于电视机、显示器、微波炉等各类电器；单晶硅材料主要应用于半导体集成电路、半导体分立器件、太阳能电池等。公司与航天机电共同组建内蒙古中环光伏有限材料公司，共同打造内蒙古光伏产业基地项目。该项目分四期建设，目标是建成年产800-1000MW太阳能单晶硅锭、硅片的生产基地。4、拓日新能(002218)：国际上只有西门子、夏普、德国RWE等几个厂家能够同时生产非晶硅、单晶硅、多晶硅三种太阳能电池，公司是国内唯一一家，公司使用的生产设备自制化程度高达70％以上。打破国内太阳能电池产业“国外设备垄断、国外技术包干”的双垄断格局。