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　　 在8月25日的半年报业绩发布会上，中微(688012)董事长兼总经理尹志尧介绍，2021年上半年新签订单金额达18.89亿元，同比增长超70%，部分Mini-LED MOCVD设备规模订单已进入最后签约阶段。上半年新签的一些票据已经反映在中期报告收入中。

　　 据披露，中伟公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品制造商提供刻蚀设备、MOCVD设备等设备。财务报告显示，2021年上半年，公司实现营业收入13.39亿元，同比增长36.82%，其中蚀刻设备收入8.58亿元，同比增长约83.79%，毛利率达到44.29%；同期，归属于上市公司股东的净利润3.97亿元，同比增长233.17%。

　　 展望行业趋势，尹志尧认为，半导体设备是集成电路和泛半导体微器件产业的基石，是数字时代的基础。随着微器件的小型化，半导体设备，尤其是等离子刻蚀设备、薄膜设备和光刻设备的极端重要性变得更加突出。

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　　 在这种背景下，投资者密切关注微型公司的竞争力。对此，尹志尧表示，公司特别注重核心技术的创新。在蚀刻设备、MOCVD等高端设备的开发、设计和制造过程中，始终强调创新和差异化，保持高强度的R&D投资。通过核心技术的创新，公司产品已达到国际先进水平。在逻辑集成电路制造方面，公司研发的12英寸高端刻蚀设备已在国际知名客户的65 nm至5 nm等先进芯片生产线上使用；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求，开发了小于5 nm的刻蚀设备，用于加工几个关键步骤，并获得了行业领先客户的批量订单。

　　 “公司目前正与客户需求合作，开发包括更先进的大马士革在内的新一代蚀刻设备和蚀刻工艺，可覆盖5 nm以下的更多蚀刻要求，以及针对不同关键应用的更多设备。”尹志尧也透露。

　　 在3D NAND芯片的制造过程中，中伟公司的电容等离子刻蚀设备可以应用于64层和128层的量产，公司正在根据存储器厂商的要求，研发能够覆盖128层及以上关键刻蚀应用以及相应极高纵横比的新一代刻蚀设备和工艺。

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　　 此外，他还介绍，公司的电感等离子刻蚀设备已在多家逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产。根据客户的技术发展需求，正在研发下一代产品，以满足5 nm以下逻辑芯片、1nm DRAM芯片、128层以上3D NAND芯片等产品的ICP刻蚀需求，并正在研发高输出ICP刻蚀设备。

　　 谈及未来发展规划，尹志尧解释称，中微公司将从三个维度拓展业务布局：深化集成电路关键设备领域，拓展在泛半导体关键设备领域的应用，探索其他新兴领域的机遇。在集成电路设备领域，公司将继续强化在刻蚀设备领域的竞争优势，并向薄膜、检测等其他关键设备领域延伸；公司计划拓展设备在泛半导体领域的应用，布局显示、MEMS、功率器件、太阳能等领域的关键设备；公司计划在其他新兴领域探索机会，善用设备和技术，考虑从设备制造到器件量产的机会，在集成电路和泛半导体装备相关领域探索更多市场机会